高功率脉冲磁控溅射(High-power impulse magnetron sputtering,HiPIMS) 是一种最高值输出功率极高,溅射靶材分子高宽比离化的离化物理学液相沉积技术性。HiPIMS 电源高压脉冲輸出到磁控靶的脉冲功率可以达到103kW/cm2;增加在溅射靶上的负工作电压仅有在做到或超出“山崩式”放电体制的阈值电压时才可以得到百安级。
靶电流量最高值;在瞬间髙压脉冲的功效下,挨近靶表层的离化地区等离子体相对密度能够做到1018 1019 m*3,试测得Cu 等离子体的离化率可以达到60%s70%;占空比、頻率、波型等脉冲特点对等离子体放电有明显危害,从而危害沉积速度和塑料薄膜特性;对比直流电磁控溅射,能够得到更为光滑高密度的沉积塑料薄膜,改进膜基融合反映。
与此同时有着优良的绕镀性;偏压、沉积速度和标准气压待会对HiPIMS 的沉积全过程造成危害,从而危害塑料薄膜的显微镜机构和物理性能。