高功率脉冲磁控溅射技术是一种高脉冲峰值功率和低脉冲占空比产生高溅射金属离化率的磁控溅射技术。
德国是机械引进的 huttinger 电源沉积在等离子体中（PIII&D）该方法相结合，形成了一种新颖的成膜工艺和质量控制技术，是一种可应用于大型矩形靶的离化率可控磁控溅射新技术，填补了国内研究方向的空白。
将高能冲击磁控溅射与高压脉冲偏压技术结合起来，利用其高离化率和淹没性的特点，实现高膜基结合力、高质量、高均匀性薄膜的制备。
同时，结合新的粒子能量和成膜过程反馈控制系统，开展了高离化率等离子体发生、等离子体时空演变和荷能粒子成膜物理过程控制的研究和工程应用。其核心技术拥有独立的知识产权，并申请了两项相关的发明专利。
实现这一技术 PVD 突破沉积关键瓶颈具有重要意义，有助于提高我国在表面工程加工领域的国际竞争力。例如，在交通领域，该技术用于汽车发动机的三个部件，可以减少摩擦 降低油耗25% 3%；在机械加工领域，先进涂层的沉积可以提高工具的使用寿命 2～10 倍，加工速度提高 30-70%；
综上所述，该设备系统将在卫星通信、等离子体物理、新材料等领域具有重要的工业应用价值。高功率脉冲磁控溅射等离子体的发生与成膜控制平台的工作。
高功率脉冲磁控溅射应用领域：
高温涂层：汽车、航空航天、军事等先进制造业的应用；
稀土铝耐腐蚀膜：NdFeB 磁铁行业环保涂料的应用；
太阳能薄膜：光伏发电及新能源应用；
生物工程膜：生物医学领域的应用。
