1958年，美国通用电气公司研发了第一个工业级的一般可控硅，极大地拓展了半导体材料器件输出功率操纵的范畴，进而使电磁能的转换和操纵从转动的变流器发电机组、静止不动的正离子并网逆变器进到到以电力工程半导体材料器件组成的变流器时期，它意味着电力电子技术时期的来临。可控硅归属于半控型的器件，不可以自关闭，它归属于第一代电力电子技术器件。因为电力电子技术器件具备体型小、功能损耗低、响应时间快等特性，因此自它问世至今就得到 了迅速的发展趋势。发生了小输出功率的可关闭可控硅(GTO)归属于全控型器件，它和电力工程晶体三极管(GTR)、电子器件场晶体三极管(MOSFET )等，被称作第二代电力电子技术器件。20新世纪80时代中后期，发生了以绝缘层栅压双极型晶体三极管(IGBT)为意味着的复合性器件，它是用MOSFET推动双极型晶体三极管，兼具MOSFET的高输入电阻和GTR的低导通特性阻抗与一身，被觉得是最有发展前途的第三代电力电子技术器件。与此同时数据控制系统也获得快速发展趋势，电力技术与控制系统的融合推动了电源的发展趋势，相对性于计算机控制，仿真模拟操纵有下列缺陷:
1、仿真模拟控制回路的元器件较多，微弧氧化电源容积很大。
2、协调能力不足，一旦电路原理进行，控制方法就没法变更。
3、最关键的是，微弧氧化电源不有利于调节，主要参数不一致，因为所应用的器件分别的特点差别、主要参数不一致，导致各电源中间存有很大的特点差别，微弧氧化电源的一致性不太好。较为下选用微处理器、DSPCPU的电源，操纵便捷灵便。能够很便捷运用改变系统而更改控制方法。与此同时微弧氧化电源高精度，很多的降低了操纵器件，使微弧氧化电源容积大幅减少。数字电路设计的可靠性好，因此那样也就提升了微弧氧化电源的可靠性和一致性。
